电沉积三氧化钨薄膜电流-时间变化

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三氧化钨薄膜电沉积过程中是有电流-时间变化曲线。从图中可以看出，沉积WO3薄膜的平均电流密度，在无PS球模板的ITO玻璃表面要大于有PS球模板的ITO玻璃表面。这是由于ITO玻璃表面被PS球模板遮挡后，使可以发生电化学反应的有效面积减少。对于无PS球模板的ITO玻璃，电流密度先升至峰值然后快速降至一个稳定地水平。而对于有PS球模板的ITO玻璃，虽然在最初阶段电流也是先升后降，但是在达到最终的稳定水平前，经历了一个较缓慢的上升过程。这种差异可以解释为有PS球模板的形貌效应，即电化学有效面积先下降，待薄膜覆盖到PS球的一半高度时，有效面积又开始上升，最后完全覆盖PS球，使电化学反应面积保持恒定。这种效应提示我们选取的沉积时间小于400s可以得到开口的WO3阵列，而更长的时间则有可能形成表面充满、内部中空的薄膜。

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