氮化鎵既是一種由氮和鎵組成的無機(jī)化合物，也是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。相對于硅晶體管來說，氮化鎵晶體管擁有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，這主要是因?yàn)榈壘哂休^寬的直接帶隙、較強(qiáng)的原子鍵、較高的熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性（幾乎不被任何酸腐蝕）以及優(yōu)異的抗輻照性能等特點(diǎn)。
硅晶體管主要由硅制成，用在高電壓電路中，其作用是增強(qiáng)電子的射頻信號(hào)。但是，硅存在一定的缺陷，即當(dāng)溫度超過200攝氏度后，硅基設(shè)備就開始出故障。從反面來說，這也就加速了氮化鎵晶體管的催生。
氮化鎵晶體管具有優(yōu)異的耐熱性能，能應(yīng)對1000攝氏度以上的高溫，因此由其制成的電子設(shè)備幾乎不需要冷卻。另外，氮化鎵晶體管能應(yīng)對的電場強(qiáng)度是硅的50多倍，因而科學(xué)家們可用它來制造信息傳輸速度更快的電子線路。不過，氮化鎵技術(shù)過于昂貴，不能直接取代硅技術(shù)。
據(jù)悉，在最新研究中，博羅內(nèi)斯和法國國家科學(xué)研究中心的科學(xué)家成功地將氮化鎵種植在(100)-硅晶圓（晶體取向?yàn)?00）上，制造出了新的氮化鎵晶體管，在降低生產(chǎn)成本的同時(shí)，也能彌補(bǔ)硅晶體管耐高溫性能差的問題。目前，科學(xué)家們已研制出了兼具CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）芯片的計(jì)算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設(shè)備。
